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MT3S20P(TE12L,F)

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Scheda tecnica: MT3S20P(TE12L,F)
Descrizione: RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Guadagno 16.5dB
Serie -
Imballaggio Digi-Reel®
Stato della parte Active
Potenza - Max 1.8W
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-243AA
Tipo di transistor NPN
Temperatura 150°C (TJ)
Frequenza - Transizione 7GHz
Pacchetto dispositivi fornitore PW-MINI
Figura del rumore (dB Typ - f) 1.45dB @ 1GHz
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 80mA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 12V

In magazzino 610 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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