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HN1C01FE-GR,LF

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Scheda tecnica: HN1C01FE-GR,LF
Descrizione: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Imballaggio Digi-Reel®
Stato della parte Discontinued at Digi-Key
Potenza - Max 100mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666
Tipo di transistor 2 NPN (Dual)
Temperatura 150°C (TJ)
Frequenza - Transizione 80MHz
Pacchetto dispositivi fornitore ES6
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 150mA
Corrente - Taglio Collettore (Max) 100nA (ICBO)
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 50V

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