L'immagine è solo di riferimento , vedere Specifiche del prodotto
2SK3906(Q)
| Produttori: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Scheda tecnica: | 2SK3906(Q) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Imballaggio | Bulk |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Caratteristica FET | - |
| Stato della parte | Obsolete |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Vgs (th) (Max) : ID | 4V @ 1mA |
| Temperatura | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 330mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 150W (Tc) |
| Pacchetto dispositivi fornitore | TO-3P(N) |
| Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 60nC @ 10V |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 600V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 4250pF @ 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 20A (Ta) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
In magazzino 0 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Richiedi preventivo
Compila il modulo qui sotto e ti contatteremo il prima possibile
Trovati negoziali
