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2SJ380(F)

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: 2SJ380(F)
Descrizione: MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Imballaggio Tube
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Obsolete
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) : ID 2V @ 1mA
Temperatura 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 210mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 35W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore TO-220NIS
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 48nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 100V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 1100pF @ 10V
Corrente - Scarico continuo (Id) 12A (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

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