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TC58NYG1S3EBAI5
| Produttori: | Toshiba Memory |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | USB Flash Drives |
| Scheda tecnica: | TC58NYG1S3EBAI5 |
| Descrizione: | NAND Flash 1.8V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Rohs | Details |
| Marchio | Toshiba Memory |
| Velocità | 25 ns |
| Prodotto | NAND Flash |
| Imballaggio | Tray |
| Dimensione della memoria | 2 Gbit |
| Tipo di memoria | NAND |
| Sottocategoria | Memory & Data Storage |
| Tipo di temporizzazione | Synchronous |
| Architettura | Block Erase |
| Produttore | Toshiba |
| Organizzazione | 256 M x 8 |
| Tipo di prodotto | NAND Flash |
| Larghezza bus dati | 8 bit |
| Tipo di interfaccia | Parallel |
| Stile di montaggio | SMD/SMT |
| Pacchetto / Custodia | TFBGA-63 |
| Categoria di prodotto | NAND Flash |
| Sensibili all'umidità | Yes |
| Corrente di alimentazione - Max | 30 mA |
| Tensione di alimentazione - Max | 1.95 V |
| Tensione di alimentazione - Min | 1.7 V |
| Quantità di imballdi di fabbrica | 180 |
| Frequenza massima orologio | - |
| Temperatura massima di funzionamento | + 85 C |
| Temperatura minima di funzionamento | - 40 C |
In magazzino 0 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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