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TC58BVG1S3HBAI4

Produttori: Toshiba Memory
Categoria di prodotto: USB Flash Drives
Scheda tecnica: TC58BVG1S3HBAI4
Descrizione: NAND Flash 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Rohs Details
Marchio Toshiba Memory
Velocità 25 ns
Prodotto NAND Flash
Imballaggio Tray
Dimensione della memoria 2 Gbit
Tipo di memoria NAND
Sottocategoria Memory & Data Storage
Tipo di temporizzazione Synchronous
Architettura Block Erase
Produttore Toshiba
Organizzazione 256 M x 8
Tipo di prodotto NAND Flash
Larghezza bus dati 8 bit
Tipo di interfaccia Parallel
Stile di montaggio SMD/SMT
Pacchetto / Custodia TFBGA-63
Categoria di prodotto NAND Flash
Sensibili all'umidità Yes
Corrente di alimentazione - Max 30 mA
Tensione di alimentazione - Max 3.6 V
Tensione di alimentazione - Min 2.7 V
Quantità di imballdi di fabbrica 210
Frequenza massima orologio -
Temperatura massima di funzionamento + 85 C
Temperatura minima di funzionamento - 40 C

In magazzino 194 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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