L'immagine è solo di riferimento , vedere Specifiche del prodotto

TC58BYG2S0HBAI6

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
Categoria di prodotto: Memory
Scheda tecnica: TC58BYG2S0HBAI6
Descrizione: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Toshiba Memory America, Inc.
Categoria di prodotto Memory
Serie Benand™
Imballaggio Tray
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Ora di accesso 25ns
Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8)
Tipo di memoria Non-Volatile
Stato della parte Active
Formato memoria FLASH
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 67-VFBGA
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V
Temperatura -40°C ~ 85°C (TA)
Pacchetto dispositivi fornitore 67-VFBGA (6.5x8)
Tempo ciclo di scrittura - Parola, Pagina 25ns

In magazzino 2 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.58 $4.49 $4.40

Richiedi preventivo

Compila il modulo qui sotto e ti contatteremo il prima possibile

Trovati negoziali

W978H6KBVX2I
Winbond Electronics
$4.52
AS4C8M16D1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
$3.1
W25Q256JVFIQ
Winbond Electronics
$3.05
S25FL128LAGMFI001
Cypress Semiconductor Corp
$2.88
IS25WP064A-RHLE
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$2.35
IS25WP032D-RMLE
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$2.02