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TC58BVG0S3HBAI6

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
Categoria di prodotto: Memory
Scheda tecnica: TC58BVG0S3HBAI6
Descrizione: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Toshiba Memory America, Inc.
Categoria di prodotto Memory
Serie Benand™
Imballaggio Tray
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Ora di accesso 25ns
Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8)
Tipo di memoria Non-Volatile
Stato della parte Active
Formato memoria FLASH
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 67-VFBGA
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V
Temperatura -40°C ~ 85°C (TA)
Pacchetto dispositivi fornitore 67-VFBGA (6.5x8)
Tempo ciclo di scrittura - Parola, Pagina 25ns

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