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CSD86311W1723
| Produttori: | Texas Instruments |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Scheda tecnica: | CSD86311W1723 |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Texas Instruments |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Stato della parte | Active |
| Potenza - Max | 1.5W |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 12-UFBGA, DSBGA |
| Numero parte base | CSD86311 |
| Vgs (th) (Max) : ID | 1.4V @ 250µA |
| Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 39mOhm @ 2A, 8V |
| Pacchetto dispositivi fornitore | 12-DSBGA |
| Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 585pF @ 12.5V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 4.5A |
In magazzino 1186 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.11 | $1.09 | $1.07 |
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