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CSD85301Q2T
| Produttori: | Texas Instruments |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Scheda tecnica: | CSD85301Q2T |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Texas Instruments |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Imballaggio | Digi-Reel® |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Stato della parte | Active |
| Potenza - Max | 2.3W |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-WDFN Exposed Pad |
| Vgs (th) (Max) : ID | 1.2V @ 250µA |
| Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 27mOhm @ 5A, 4.5V |
| Pacchetto dispositivi fornitore | 6-WSON (2x2) |
| Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 5.4nC @ 4.5V |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 469pF @ 10V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 5A |
In magazzino 4262 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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