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TSM10N80CZ C0G

Produttori: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: TSM10N80CZ C0G
Descrizione: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tube
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-220-3
Vgs (th) (Max) : ID 4V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 1.05Ohm @ 4.75A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 48W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore TO-220
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 53nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 800V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 2336pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 9.5A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

In magazzino 935 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.18 $3.12 $3.05

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