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TSM061NA03CV RGG

Produttori: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: TSM061NA03CV RGG
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Digi-Reel®
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Discontinued at Digi-Key
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN
Vgs (th) (Max) : ID 2.5V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 6.1mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 44.6W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore 8-PDFN (3x3)
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 19.3nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 1136pF @ 15V
Corrente - Scarico continuo (Id) 66A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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