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SFT18GHA1G

Produttori: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria di prodotto: Diodes - Rectifiers - Single
Scheda tecnica: SFT18GHA1G
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria di prodotto Diodes - Rectifiers - Single
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie Automotive, AEC-Q101
Imballaggio Tape & Box (TB)
Tipo di diodo Standard
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia T-18, Axial
Capacità: Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz
Pacchetto dispositivi fornitore TS-1
Tempo di recupero inverso (trr) 35ns
Corrente - Perdita Inversa - Vr 5µA @ 600V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Corrente - Media rettificata (Io) 1A
Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C
Tensione - Avanti (Vf) (Max) 1.7V @ 1A

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