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STI33N65M2

Produttori: STMicroelectronics
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: STI33N65M2
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore STMicroelectronics
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MDmesh™ M2
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tube
Vgs (Max) ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Numero parte base STI33N
Vgs (th) (Max) : ID 4V @ 250µA
Temperatura 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 140mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 190W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore I2PAK
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 41.5nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 650V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 1790pF @ 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) 24A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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