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STB19NM65N
| Produttori: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Scheda tecnica: | STB19NM65N |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | STMicroelectronics |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | MDmesh™ II |
| Tipo FET | N-Channel |
| Imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Caratteristica FET | - |
| Stato della parte | Obsolete |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Numero parte base | STB19N |
| Vgs (th) (Max) : ID | 4V @ 250µA |
| Temperatura | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 270mOhm @ 7.75A, 10V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 150W (Tc) |
| Pacchetto dispositivi fornitore | D2PAK |
| Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 55nC @ 10V |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 650V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 1900pF @ 50V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 15.5A (Tc) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
In magazzino 776 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $6.31 | $6.18 | $6.06 |
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