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SCT20N120

Produttori: STMicroelectronics
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: SCT20N120
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore STMicroelectronics
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tube
Vgs (Max) +25V, -10V
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-247-3
Numero parte base SCT20
Vgs (th) (Max) : ID 3.5V @ 1mA
Temperatura -55°C ~ 200°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 290mOhm @ 10A, 20V
Dissipazione di potenza (Max) 175W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore HiP247™
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 45nC @ 20V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 1200V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 650pF @ 400V
Corrente - Scarico continuo (Id) 20A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 20V

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