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RJK6032DPD-00#J2

Produttori: Renesas Electronics America
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: RJK6032DPD-00#J2
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 3A MP3A
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Renesas Electronics America
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Obsolete
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) : ID -
Temperatura 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 40.3W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore MP-3A
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 9nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 600V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 285pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 3A (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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