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R1RW0416DSB-2LR#D1

Produttori:	Renesas Electronics America
Categoria di prodotto:	Memory
Scheda tecnica:	R1RW0416DSB-2LR#D1
Descrizione:	IC SRAM IBIS ASYNC
Stato RoHS:	Compatibile con RoHS

Attributo	Valore attributo
Produttore	Renesas Electronics America
Categoria di prodotto	Memory
Serie	-
Imballaggio	Tube
Tecnologia	SRAM
Ora di accesso	12ns
Dimensione della memoria	4Mb (256K x 16)
Tipo di memoria	Volatile
Stato della parte	Active
Formato memoria	SRAM
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / Custodia	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Alimentazione	3V ~ 3.6V
Temperatura	-40°C ~ 85°C (TA)
Pacchetto dispositivi fornitore	44-TSOP II
Tempo ciclo di scrittura - Parola, Pagina	12ns