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RQ3E180GNTB

Produttori: ROHM Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: RQ3E180GNTB
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Digi-Reel®
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) : ID 2.5V @ 1mA
Temperatura 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 4.3mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 2W (Ta)
Pacchetto dispositivi fornitore 8-HSMT (3.2x3)
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 22.4nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 1520pF @ 15V
Corrente - Scarico continuo (Id) 18A (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

In magazzino 2965 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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