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EMH10FHAT2R

Produttori: ROHM Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Scheda tecnica: EMH10FHAT2R
Descrizione: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Imballaggio Digi-Reel®
Stato della parte Active
Potenza - Max 150mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666
Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Base (R1) 2.2kOhms
Frequenza - Transizione 250MHz
Pacchetto dispositivi fornitore EMT6
Resistor - Base emettitore (R2) 47kOhms
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 100mA
Corrente - Taglio Collettore (Max) -
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) -

In magazzino 9167 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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