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EMG9T2R

Produttori: ROHM Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Scheda tecnica: EMG9T2R
Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Imballaggio Digi-Reel®
Stato della parte Discontinued at Digi-Key
Potenza - Max 150mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Numero parte base *MG9
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Frequenza - Transizione 250MHz
Pacchetto dispositivi fornitore EMT5
Resistor - Base emettitore (R2) 10kOhms
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 100mA
Corrente - Taglio Collettore (Max) 500nA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 50V

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