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DTD713ZMT2L

Produttori:	ROHM Semiconductor
Categoria di prodotto:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Scheda tecnica:	DTD713ZMT2L
Descrizione:	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Stato RoHS:	Compatibile con RoHS

Attributo	Valore attributo
Produttore	ROHM Semiconductor
Categoria di prodotto	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie	-
Imballaggio	Digi-Reel®
Stato della parte	Not For New Designs
Potenza - Max	150mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / Custodia	SOT-723
Tipo di transistor	NPN - Pre-Biased
Numero parte base	DTD713
Resistor - Base (R1)	1 kOhms
Frequenza - Transizione	260MHz
Pacchetto dispositivi fornitore	VMT3
Resistor - Base emettitore (R2)	10 kOhms
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max)	200mA
Corrente - Taglio Collettore (Max)	500nA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce	140 @ 100mA, 2V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max)	30V