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DTC123EUAT106

Produttori: ROHM Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Scheda tecnica: DTC123EUAT106
Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Stato della parte Not For New Designs
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323
Tipo di transistor NPN - Pre-Biased
Numero parte base DTC123
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Frequenza - Transizione 250MHz
Pacchetto dispositivi fornitore UMT3
Resistor - Base emettitore (R2) 2.2 kOhms
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 100mA
Corrente - Taglio Collettore (Max) 500nA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 50V

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