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NVD6415ANLT4G

Produttori: ON Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: NVD6415ANLT4G
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ON Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) : ID 2V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 52mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 83W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore DPAK
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 20nC @ 4.5V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 100V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 1024pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 23A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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