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NSVMMUN2131LT1G

Produttori: ON Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Scheda tecnica: NSVMMUN2131LT1G
Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ON Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Stato della parte Active
Potenza - Max 246mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo di transistor PNP - Pre-Biased
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Pacchetto dispositivi fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Resistor - Base emettitore (R2) 2.2 kOhms
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 100mA
Corrente - Taglio Collettore (Max) 500nA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 50V

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