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NSBC114YDP6T5G

Produttori: ON Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Scheda tecnica: NSBC114YDP6T5G
Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ON Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Imballaggio Digi-Reel®
Stato della parte Active
Potenza - Max 339mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia SOT-963
Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Numero parte base NSBC1*
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Frequenza - Transizione -
Pacchetto dispositivi fornitore SOT-963
Resistor - Base emettitore (R2) 47kOhms
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 100mA
Corrente - Taglio Collettore (Max) 500nA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 50V

In magazzino 6647 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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