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NSBC114TDXV6T1

Produttori: ON Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Scheda tecnica: NSBC114TDXV6T1
Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ON Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Imballaggio Cut Tape (CT)
Stato della parte Obsolete
Potenza - Max 500mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666
Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Numero parte base NSBC1*
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Frequenza - Transizione -
Pacchetto dispositivi fornitore SOT-563
Resistor - Base emettitore (R2) -
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 100mA
Corrente - Taglio Collettore (Max) 500nA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 50V

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