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NGTD14T65F2WP
| Produttori: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - IGBTs - Single |
| Scheda tecnica: | NGTD14T65F2WP |
| Descrizione: | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | ON Semiconductor |
| Categoria di prodotto | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Imballaggio | Bulk |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Stato della parte | Active |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Condizione di test | - |
| Commutazione dell'energia | - |
| Td (attivato/disattivato) | - |
| Temperatura | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Pacchetto dispositivi fornitore | Die |
| Vce(on) (Max) : Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Corrente - Collettore pulsato (Icm) | 120A |
| Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) | 650V |
In magazzino 0 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.06 | $1.04 | $1.02 |
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