Produttori: | ON Semiconductor |
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Categoria di prodotto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Scheda tecnica: | MUN5111DW1T1G |
Descrizione: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
Attributo | Valore attributo |
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Produttore | ON Semiconductor |
Categoria di prodotto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Serie | - |
Imballaggio | Digi-Reel® |
Stato della parte | Active |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Tipo di transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Numero parte base | MUN51**DW1T |
Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
Frequenza - Transizione | - |
Pacchetto dispositivi fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Resistor - Base emettitore (R2) | 10kOhms |
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) | 100mA |
Corrente - Taglio Collettore (Max) | 500nA |
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) | 50V |
Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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