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MUN5111DW1T1G

Produttori: ON Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Scheda tecnica: MUN5111DW1T1G
Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ON Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Imballaggio Digi-Reel®
Stato della parte Active
Potenza - Max 250mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo di transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Numero parte base MUN51**DW1T
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Frequenza - Transizione -
Pacchetto dispositivi fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base emettitore (R2) 10kOhms
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 100mA
Corrente - Taglio Collettore (Max) 500nA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 50V

In magazzino 13720 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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