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MJD112TF

Produttori: ON Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Scheda tecnica: MJD112TF
Descrizione: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ON Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Imballaggio Digi-Reel®
Stato della parte Obsolete
Potenza - Max 1.75W
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo di transistor NPN - Darlington
Numero parte base MJD112
Temperatura 150°C (TJ)
Frequenza - Transizione 25MHz
Pacchetto dispositivi fornitore D-Pak
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 2A
Corrente - Taglio Collettore (Max) 20µA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 100V

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