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HGTG5N120BND

Produttori: ON Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - IGBTs - Single
Scheda tecnica: HGTG5N120BND
Descrizione: IGBT 1200V 21A 167W TO247
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ON Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT NPT
Imballaggio Tube
Tipo di ingresso Standard
Carica del cancello 53nC
Stato della parte Not For New Designs
Potenza - Max 167W
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-247-3
Condizione di test 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Commutazione dell'energia 450µJ (on), 390µJ (off)
Td (attivato/disattivato) 22ns/160ns
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto dispositivi fornitore TO-247-3
Vce(on) (Max) : Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A
Tempo di recupero inverso (trr) 65ns
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 21A
Corrente - Collettore pulsato (Icm) 40A
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 1200V

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