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H11G2TVM
| Produttori: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
| Scheda tecnica: | H11G2TVM |
| Descrizione: | OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | ON Semiconductor |
| Categoria di prodotto | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
| Serie | - |
| Imballaggio | Tube |
| Tipo di ingresso | DC |
| Tipo di uscita | Darlington with Base |
| Stato della parte | Active |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
| Numero di canali | 1 |
| Voltage - Isolamento | 4170Vrms |
| Saturazione vce (Max) | 1V |
| Temperatura | -40°C ~ 100°C |
| Tempo di salita /caduta (Typ) | - |
| Tensione - Uscita (Max) | 80V |
| Pacchetto dispositivi fornitore | 6-DIP |
| Corrente - Uscita / Canale | - |
| Rapporto di trasferimento corrente (max) | - |
| Rapporto di trasferimento corrente (min) | 1000% @ 10mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Typ) | 1.3V |
| Accelera/Spegni tempo (Typ) | 5µs, 100µs |
| Corrente - DC Avanti (If) (Max) | 60mA |
In magazzino 0 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.36 | $0.35 | $0.35 |
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