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FGA30N65SMD

Produttori: ON Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - IGBTs - Single
Scheda tecnica: FGA30N65SMD
Descrizione: IGBT 650V 60A 300W TO3P-3
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ON Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Field Stop
Imballaggio Tube
Tipo di ingresso Standard
Carica del cancello 87nC
Stato della parte Active
Potenza - Max 300W
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-3P-3, SC-65-3
Condizione di test 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Commutazione dell'energia 716µJ (on), 208µJ (off)
Td (attivato/disattivato) 14ns/102ns
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto dispositivi fornitore TO-3PN
Vce(on) (Max) : Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
Tempo di recupero inverso (trr) 35ns
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 60A
Corrente - Collettore pulsato (Icm) 90A
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 650V

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