Produttori: | ON Semiconductor |
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Categoria di prodotto: | Transistors - IGBTs - Single |
Scheda tecnica: | FGA25N120FTD |
Descrizione: | IGBT 1200V 50A 313W TO3P |
Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
Attributo | Valore attributo |
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Produttore | ON Semiconductor |
Categoria di prodotto | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Imballaggio | Tube |
Tipo di ingresso | Standard |
Carica del cancello | 160nC |
Stato della parte | Obsolete |
Potenza - Max | 313W |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-3P-3, SC-65-3 |
Condizione di test | 600V, 25A, 15Ohm, 15V |
Commutazione dell'energia | 340µJ (on), 900µJ (off) |
Td (attivato/disattivato) | 48ns/210ns |
Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Pacchetto dispositivi fornitore | TO-3P |
Vce(on) (Max) : Vge, Ic | 2V @ 15V, 25A |
Tempo di recupero inverso (trr) | 770ns |
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) | 50A |
Corrente - Collettore pulsato (Icm) | 75A |
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) | 1200V |
Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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