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FDMS3660AS

Produttori: ON Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Scheda tecnica: FDMS3660AS
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ON Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie PowerTrench®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Imballaggio Digi-Reel®
Caratteristica FET Logic Level Gate
Stato della parte Active
Potenza - Max 1W
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) : ID 2.7V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Pacchetto dispositivi fornitore Power56
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 30nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 2230pF @ 15V
Corrente - Scarico continuo (Id) 13A, 30A

In magazzino 1508 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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