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FDFME2P823ZT
| Produttori: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Scheda tecnica: | FDFME2P823ZT |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | ON Semiconductor |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Imballaggio | Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Stato della parte | Obsolete |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Vgs (th) (Max) : ID | 1V @ 250µA |
| Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 142mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 1.4W (Ta) |
| Pacchetto dispositivi fornitore | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
| Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 405pF @ 10V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 2.6A (Ta) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
In magazzino 0 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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