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EMF5XV6T5G

Produttori: ON Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Scheda tecnica: EMF5XV6T5G
Descrizione: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ON Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Stato della parte Active
Potenza - Max 500mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666
Tipo di transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Numero parte base EMF
Resistor - Base (R1) 47kOhms
Frequenza - Transizione -
Pacchetto dispositivi fornitore SOT-563
Resistor - Base emettitore (R2) 47kOhms
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Corrente - Taglio Collettore (Max) 500nA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 50V, 12V

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