Produttori: | ON Semiconductor |
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Categoria di prodotto: | Transistors - JFETs |
Scheda tecnica: | 2SK3666-3-TB-E |
Descrizione: | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
Attributo | Valore attributo |
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Produttore | ON Semiconductor |
Categoria di prodotto | Transistors - JFETs |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Imballaggio | Digi-Reel® |
Stato della parte | Active |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Numero parte base | 2SK3666 |
Resistenza - RDS(Attivato) | 200 Ohms |
Temperatura | 150°C (TJ) |
Pacchetto dispositivi fornitore | 3-CP |
Scarico corrente (Id) - Max | 10mA |
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 30V |
Voltage - Taglio (VGS spento) - ID | 180mV @ 1µA |
Corrente - Scarico (Idss) - Vds (Vgs-0) | 1.2mA @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 4pF @ 10V |
Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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