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2N7002ET1G

Produttori: ON Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: 2N7002ET1G
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ON Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Digi-Reel®
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) : ID 2.5V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 300mW (Tj)
Pacchetto dispositivi fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 0.81nC @ 5V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 60V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 26.7pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 260mA (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

In magazzino 320648 pcs

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