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2N6387G

Produttori: ON Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Scheda tecnica: 2N6387G
Descrizione: TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ON Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Imballaggio Tube
Stato della parte Active
Potenza - Max 2W
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-220-3
Tipo di transistor NPN - Darlington
Numero parte base 2N6387
Temperatura -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequenza - Transizione -
Pacchetto dispositivi fornitore TO-220AB
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 3V @ 100mA, 10A
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 10A
Corrente - Taglio Collettore (Max) 1mA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 1000 @ 5A, 3V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 60V

In magazzino 39 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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