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PQMD3Z

Produttori: Nexperia USA Inc.
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Scheda tecnica: PQMD3Z
Descrizione: TRANS NPN/PNP RET 6DFN
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Nexperia USA Inc.
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Imballaggio Digi-Reel®
Stato della parte Discontinued at Digi-Key
Potenza - Max 230mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 6-XFDFN Exposed Pad
Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Frequenza - Transizione 230MHz, 180MHz
Pacchetto dispositivi fornitore DFN1010B-6
Resistor - Base emettitore (R2) 10kOhms
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 100mA
Corrente - Taglio Collettore (Max) 1µA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 50V

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