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PHD20N06T,118

Produttori: Nexperia USA Inc.
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: PHD20N06T,118
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Nexperia USA Inc.
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) : ID 4V @ 1mA
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 77mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 51W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore DPAK
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 11nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 55V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 422pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 18A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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