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PHB18NQ10T,118

Produttori: Nexperia USA Inc.
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: PHB18NQ10T,118
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Nexperia USA Inc.
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) : ID 4V @ 1mA
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 90mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 79W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore D2PAK
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 21nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 100V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 633pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 18A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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