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PEMD9,115
| Produttori: | Nexperia USA Inc. |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Scheda tecnica: | PEMD9,115 |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Categoria di prodotto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Imballaggio | Digi-Reel® |
| Stato della parte | Active |
| Potenza - Max | 300mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Tipo di transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Frequenza - Transizione | - |
| Pacchetto dispositivi fornitore | SOT-666 |
| Resistor - Base emettitore (R2) | 47kOhms |
| Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Collezionista (Ic) (Max) | 100mA |
| Corrente - Taglio Collettore (Max) | 1µA |
| DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) | 50V |
In magazzino 2729 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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