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PEMD6,115

Produttori: Nexperia USA Inc.
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Scheda tecnica: PEMD6,115
Descrizione: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Nexperia USA Inc.
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Stato della parte Active
Potenza - Max 300mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666
Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Numero parte base P*MD6
Resistor - Base (R1) 4.7kOhms
Frequenza - Transizione -
Pacchetto dispositivi fornitore SOT-666
Resistor - Base emettitore (R2) -
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 100mA
Corrente - Taglio Collettore (Max) 1µA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 200 @ 1mA, 5V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 50V

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Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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