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PBSS5130PAP,115

Produttori: Nexperia USA Inc.
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Scheda tecnica: PBSS5130PAP,115
Descrizione: TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Nexperia USA Inc.
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Imballaggio Digi-Reel®
Stato della parte Discontinued at Digi-Key
Potenza - Max 510mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad
Tipo di transistor 2 PNP (Dual)
Numero parte base PBSS5130
Temperatura 150°C (TJ)
Frequenza - Transizione 125MHz
Pacchetto dispositivi fornitore 6-HUSON-EP (2x2)
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 280mV @ 50mA, 1A
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 1A
Corrente - Taglio Collettore (Max) 100nA (ICBO)
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 170 @ 500mA, 2V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 30V

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