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PDTA123EK,115
| Produttori: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Scheda tecnica: | PDTA123EK,115 |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Categoria di prodotto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Stato della parte | Obsolete |
| Potenza - Max | 250mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Tipo di transistor | PNP - Pre-Biased |
| Numero parte base | PDTA123 |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Pacchetto dispositivi fornitore | SMT3; MPAK |
| Resistor - Base emettitore (R2) | 2.2 kOhms |
| Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Corrente - Collezionista (Ic) (Max) | 100mA |
| Corrente - Taglio Collettore (Max) | 1µA |
| DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) | 50V |
In magazzino 0 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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