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SG2003J-JAN

Produttori:	Microsemi Corporation
Categoria di prodotto:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Scheda tecnica:	SG2003J-JAN
Descrizione:	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
Stato RoHS:	Compatibile con RoHS

Attributo	Valore attributo
Produttore	Microsemi Corporation
Categoria di prodotto	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie	-
Imballaggio	Tube
Stato della parte	Active
Potenza - Max	-
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / Custodia	16-CDIP (0.300", 7.62mm)
Tipo di transistor	7 NPN Darlington
Temperatura	150°C (TJ)
Frequenza - Transizione	-
Pacchetto dispositivi fornitore	16-CDIP
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic	1.6V @ 500µA, 350mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max)	500mA
Corrente - Taglio Collettore (Max)	-
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce	1000 @ 350mA, 2V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max)	50V