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APTC60HM70BT3G

Produttori: Microsemi Corporation
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Scheda tecnica: APTC60HM70BT3G
Descrizione: MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Microsemi Corporation
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie CoolMOS™
Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Imballaggio Tray
Caratteristica FET Logic Level Gate
Stato della parte Active
Potenza - Max 250W
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / Custodia SP3
Vgs (th) (Max) : ID 3.9V @ 2.7mA
Temperatura -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 70mOhm @ 39A, 10V
Pacchetto dispositivi fornitore SP3
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 259nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 600V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 700pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 39A

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Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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