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APT80SM120B
| Produttori: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Scheda tecnica: | APT80SM120B |
| Descrizione: | POWER MOSFET - SIC |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Imballaggio | Bulk |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Caratteristica FET | - |
| Stato della parte | Obsolete |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Vgs (th) (Max) : ID | 2.5V @ 1mA |
| Temperatura | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 55mOhm @ 40A, 20V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 555W (Tc) |
| Pacchetto dispositivi fornitore | TO-247 |
| Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 235nC @ 20V |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 80A (Tc) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
In magazzino 0 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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